納米二硅化鉬，微米二硅化鉬，超細二硅化鉬，MoSi2
技術(shù)參數(shù)
貨號 平均粒徑 純度（%） 比表面積（m2/g） 體積密度（g/cm3） 密度（g/cm3） 晶型 顏色
XT-0808-2-1 200nm 99.9 14.3 4.8 6.24 球形 黑色
XT-0808-2-2 1um 99.9 9 11 6.24 球形 黑色
備注：可根據(jù)用戶要求,定制其它規(guī)格產(chǎn)品
產(chǎn)品特點
   產(chǎn)品純度高,粒徑小,分布均勻,比表面積大,表面活性高。
應(yīng)用領(lǐng)域
1.發(fā)熱元件；
2.集成電路；
3.高溫抗氧化涂層；
4.高溫結(jié)構(gòu)材料；
5.電熔玻璃電極、鼓泡管、熱偶保護管、氣體取樣管；
6.厚模電阻、導(dǎo)電抗氧化涂層。
包裝儲存
   本品為惰氣防靜電包裝,應(yīng)密封保存于干燥、陰涼的環(huán)境中,不宜長久暴露于空氣中,防受潮發(fā)生團聚,影響分散性能和使用效果。
納米二硅化鋯，微米二硅化鋯，超細二硅化鋯     
技術(shù)參數(shù)
貨號 平均粒徑 純度（%） 比表面積（m2/g） 體積密度（g/cm3） 密度（g/cm3） 晶型 顏色
XT-0808-3-1 500nm 99.9 26.3 26 4.8 不規(guī)則 灰色
XT-0808-3-2 1um 99.9 10.9 45 4.8 不規(guī)則 灰色
備注：可根據(jù)用戶要求,定制其它規(guī)格產(chǎn)品
產(chǎn)品特點
   產(chǎn)品純度高,粒徑小,分布均勻,比表面積大,表面活性高。
 
應(yīng)用領(lǐng)域
   主要可用作精細陶瓷原料粉,用于生產(chǎn)半導(dǎo)體薄膜生產(chǎn)用坩堝。
 
包裝儲存
   本品為惰氣防靜電包裝,應(yīng)密封保存于干燥、陰涼的環(huán)境中,不宜長久暴露于空氣中,防受潮發(fā)生團聚,影響分散性能和使用效果。